| Кафедра радіотехнічних систем |

| Рівень вищої освіти | Другий (магістерський) |
| Галузь знань | G - Інженерія, виробництво та будівництво |
| Спеціальність | G5 - Електроніка, електронні комунікації, приладобудування та радіотехніка |
| Освітня програма | 172Мп РТС - Радіотехнічні інформаційні технології (ЄДЕБО id: 8562)172Мп РКС - Радіотехнічні комп'ютеризовані системи (ЄДЕБО id: 49258)172Мн РКС - Радіотехнічні комп'ютеризовані системи (ЄДЕБО id: 49259)172Мп РТКС+ - Радіотехнічні комп'ютеризовані системи (ЄДЕБО id: 57922)G5Мп РТКС - Радіотехнічні комп'ютеризовані системи (ЄДЕБО id: 83621) |
| Статус дисципліни | Нормативна |
| Форма здобуття вищої освіти | Очна |
| Рік підготовки, семестр | 1 курс, осінній семестр |
| Обсяг дисципліни | 5 кред. (Лекц. 30 год, Практ. 16 год, Лаб. 14 год, СРС. 90 год ) |
| Семестровий контроль/контрольні заходи | Екзамен |
| Розклад занять | https://schedule.kpi.ua |
| Мова викладання | Українська |
| Інформація про керівника курсу / викладачів | Лекц.: Омеляненко М. Ю., Практ.: Омеляненко М. Ю., Лаб.: Турєєва О. В., СРС.: Омеляненко М. Ю. |
| Розміщення курсу | https://do.ipo.kpi.ua/ |
Швидкий розвиток радіотехнічних систем, зокрема систем спеціального призначення та зв’язку, космічних технологій, медицини, транспорту, нових виробництв призвело до широкого освоєння НВЧ діапазону – частот від 2 до 150 ГГц. Сьогодні обладнання на ці частоти випускається серійно, у великих кількостях, причому в умовах жорсткої конкуренції. Це визначає необхідність радикально змінити всю технологічно-конструкторську базу НВЧ діапазону. Перш за все, це стосується заміни активних приладів на твердотільні і, як наслідок, заміни хвилеведучих систем – об’ємних хвилеводів, коаксіалів на планарні лінії передачі, які виготовляються методами інтегральної технології, а також необхідністю сконцентрувати енергію в об’ємах, співставних із розмірами сучасних твердотільних активних елементів (сотні мікрометрів).
Предметом вивчення дисципліни «Гібридні та монолітні інтегральні пристрої мікрохвильового діапазону» є основні принципи побудови ГІС і МІС сучасних гібридно-інтегральних пристроїв та систем на їх основі.
Метою навчальної дисципліни є формування у студентів компетентностей:
Предмет вивчання дисципліни «Гібридні та монолітні інтегральні пристрої мікрохвильового діапазону» є принципи побудови ГІС і МІС сучасних мікрохвильових пристроїв на основі хвилеводно-планарних систем, методика розрахунків, схемо-технічні та конструкторсько-технологічні рішення.
У відповідності до освітньої програми програмні результати навчання:
Міждисциплінарні зв’язки: дисципліна базується на знаннях матеріалу курсів «Загальна фізика», «Вища математика», «Основи теорії кіл», «Електродинаміка та поширення радіохвиль», «Схемотехніка», «Основи теорії телекомунікацій і радіотехніки»
Одержані знання та навички після вивчення цієї дисципліни використовуються подалі при виконанні курсових робіт та наукових робіт за темами магістерських дисертацій.
Навчальна дисципліна містить теми.
Розділ 1. Електродинамічні системи для побудови вузлів з ГІС і МІС НВЧ.
Тема 1.1. Теоретичний аналіз регулярних ліній передачі діапазону НВЧ. Рівняння Гельмгольца. Зв’язок поперечних та повздовжніх компонент електромагнітного поля. Хвилі типу Т, квазі-Т, Е, Н, гібридні. Загальні властивості дисперсії
Тема 1.2. Огляд реальних ліній передачі діапазону НВЧ: мікросмужкова лінія (МСЛ), зважена мікросмужкова лінія (ЗВМСЛ), Н, П-хвилеводи, як прототипи хвилеводно-планарних ліній передачі (ХПЛ), хвилеводно-щілинна (ХЩЛ), хвилеводно-копланарна (ХКЛ), поверхнево-інтегрована хвилеводна лінія (ПІХЛ), діелектричний дзеркальний хвилевод (ДЗХ).
Розділ 2. Основні положення теорії довгих ліній.
Тема 2.1. Рішення телеграфних рівнянь, фізичний зміст. Коефіцієнт відбиття, КСХ, вхідний коефіцієнт відбиття, вхідний опір. Потужність в навантаженні.
Тема 2.2. Діаграма повних опорів (провідностей) – діаграма Сміта. Узгодження комплексних опорів за допомогою реактивних шлейфів. Топологія шлейфового узгодження у інтегральних лініях передачі.
Тема 2.3. Реалізація реактивностей у вигляді коротких відрізків каскадно з’єднаних ліній передачі з відмінним хвильовим опором. Неоднорідності у хвилеведучих системах. Діафрагми.
Тема 2.4. Узгодження активних опорів. Багатосекційні чвертьхвильові трансформатори. Плавні переходи. Конструкції у різних інтегральних лініях передачі.
Розділ 3. Конструкції пасивних пристроїв НВЧ.
Тема 3.1. Збудження інтегральних ліній передачі, переходи між різними типами ліній. Збудження гібридних і монолітних інтегральних схем НВЧ діапазону. Співставлення характеристик інтегральних ліній передачі.
Тема 3.2. Пасивні інтегральні схеми НВЧ і їх складові. Зосереджені елементи ГІС НВЧ.
Тема 3.3. Фільтри діапазону НВЧ у інтегральному виконанні. Фільтр низької частоти (ФНЧ), смугові хвилеводно-планарні фільтри. Процедура синтезу смугових фільтрів
3.4. Феритові невзаємні пристрої інтегральної НВЧ електроніки. Циркулятор, вентиль.
Розділ 4. Активні напівпровідникові пристрої НВЧ
Тема 4.1. Діодні керовані пристрої. P-i-n діоди. Параметри, конструкції, еквівалентні схеми. Амплітудні електронно-керовані атенюатори, фазові маніпулятори, перемикачі. Гібридно-інтегральні і монолітні конструкції.
Тема 4.2. Діоди з бар’єром Шоткі і варакторні діоди. Детектори.
Тема 4.3. Змішувачі перетворювачів частоти. Субгармонічні змішувачі – однодіодні та балансні, подвійні балансні. Інтегральні та монолітні діодні помножувачі частоти.
Тема 4.4. Транзистори і транзисторні пристрої НВЧ діапазону. Транзисторні перемикачі, помножувачі, змішувачі.
Тема 4.5. Підсилювачі НВЧ діапазону. Застосування S, T – матриць для опису вузлів НВЧ діапазону, зокрема на прикладі застосування S, T – матриць для розрахунку транзисторних підсилювачів НВЧ. Абсолютна і умовна стійкість підсилювачів, способи стабілізації підсилювачів.
Тема 4.6. Малошумні підсилювачі. Шумовий опір транзисторів. Підсилювачі середньої і великої потужності. Лінеаризація підсилювачів. Параметри підсилювачів і їх вимірювання. Типові характеристики пристроїв у гібридному і монолітному інтегральному виконанні.
Тема 4.7. Транзисторні генератори діапазону НВЧ. Застосування S-матриць для обчислення стартових умов генерації і обчислення потужності у стаціонарному режимі. Стабілізація частоти генераторів за допомогою МСЛ резонаторів та ДР. Параметри генераторів і їх вимірювання.
Тема 4.8. Інтегральні транзисторні генератори НВЧ. Генератори, як елементи гетеродинів перетворювачів частоти.
Розділ 5. Багатофункціональні пристрої НВЧ діапазону у гібридно-інтегральному і монолітно-інтегральному виконанні:
Тема 5.1. Синтезатор частоти непрямого синтезу діапазону НВЧ. Подільники частоти зі змінним коефіцієнтом ділення (ПЗКД). Фазові детектори синтезаторів частоти.
Тема 5.2. Приклад реалізації синтезатора на основі петлі з ФАПЧ з використанням сучасної елементної бази.
Тема 5.3. Монолітні інтегральні схеми квадратурних модуляторів і демодуляторів
НВЧ діапазону
Тема 5.4. Передавачі і приймачі радіорелейних станцій. Конструкції, принципи побудови, розрахунку, проектування.
О с н о в н а л і т е р а т у р а
Д о п о м і ж н а
З метою засвоєння лекційного матеріалу та набуття досвіду роботи з сучасною вимірювальною апаратурою шляхом дослідження характеристик реальних вузлів гібридно-інтегральних пристроїв НВЧ діапазону та розрахунку систем на їх основі планується проведення 4-х лабораторних робіт.
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №1. Дослідження характеристик гібридно-інтегральних смугових фільтрів міліметрового діапазону довжин хвиль.
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №2. Дослідження ГІС транзисторних підсилювачів міліметрового діапазону. Вимірювання лінійних характеристик.
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №3. Дослідження ГІС p діодного фазового 0-π маніпулятора.
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №4. Вимірювання коефіцієнта шуму ГІС транзисторного малошумного підсилювача і тангенціальної чутливості приймального пристрою з ним на вході
Планується проведення семінарських занять, спрямованих на оволодіння методами розрахунку і моделювання гібридно-інтегральних схем вузлів як основи функціональних НВЧ пристроїв.
Семінар 1. Узгодження в інтегральних лініях передачі. Шлейфові схеми узгодження на прикладі МСЛ.
Семінар 2. Розрахунок однокаскадного транзисторного підсилювача потужності НВЧ діапазону.
Семінар 3. Синтез багатосекційних чвертьхвильових трансформаторів. МСЛ - реалізація
Семінар 4. S, T-матриці. Визначення. Фізичний зміст. Зв'язок між елементами матриць. Застосування для опису чотирьохполюсників і їх з’єднань в НВЧ діапазоні.
Семінар 5. Синтез прохідного резонатора, як основи для побудови ГІС НВЧ фільтрів.
Самостійна робота студента є основним засобом засвоєння навчального матеріалу у вільний від навчальних занять час. На самостійну роботу студентів планується 90 годин, які розподіляються орієнтовно так:
Рекомендовані методи навчання:
Правила відвідування занять. Відвідування лекцій, практичних та лабораторних занять є обов’язковим, оскільки на них викладається теоретичний матеріал та розвиваються навички, необхідні для виконання семестрових контрольних заходів. Система оцінювання орієнтована на отримання балів за своєчасність і якість виконання лабораторних робіт, а також виконання РГР.
Призначення заохочувальних та штрафних балів. Заохочувальні бали виставляються за: активну участь на практичних заняттях, Кількість заохочуваних балів не більше 5 балів. Штрафні бали можуть виставлятися за: невиконання завдань. Кількість штрафних балів не більше 6 балів.
Академічна доброчесність Політика та принципи академічної доброчесності визначені у розділі 3 Кодексу честі Національного технічного університету України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського». Детальніше: https://kpi.ua/code.
Норми етичної поведінки Норми етичної поведінки студентів і працівників визначені у розділі 2 Кодексу честі Національного технічного університету України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського». Детальніше: https://kpi.ua/code.
Навчання іноземною мовою Навчальна дисципліна «Гібридні та монолітні інтегральні пристрої мікрохвильового діапазону» передбачає її вивчення українською мовою. У процесі викладання навчальної дисципліни використовуються матеріали та джерела українською та англійською мовою.
Рейтингова оцінка з дисципліни RD (тобто екзаменаційна оцінка за семестр) формується як сума балів поточної успішності навчання та екзаменаційних балів. RD розраховується за 100-бальною шкалою. Рейтинг студента складається з балів, які він отримує за:
Штрафні та заохочувальні бали:
відповіддю на експрес-контролі мінус 2 бали
Система рейтингових балів та критерії оцінювання в семестрі
Експрес-контроль з лабораторних занять
Максимальна сума балів за експрес-контроль 16 балів
Захист лабораторних робіт (ЛР)
Максимальна сума балів за ЛР 16+16=32 балів
Максимальна сума балів за контроль практичних занять 5 балів
Максимальна сума балів за МКР 6 балів
Максимальна сума балів за РГР 17 балів
Розрахунок шкали рейтингу
Сума максимально можливих балів контрольних заходів (поз.1-3) протягом семестру складає:
Rсем = 32+ 6+5+17 = 60 балів
Екзаменаційна оцінка шкали RD дорівнює 40% і становить 40 балів:
RD= Rсем + Rекз = 60 + 40 = 100 балів
Умовою допуску до екзамену є сума балів не менше 0,5* Rсем тобто > 30 балів, відсутність заборгованостей з лабораторних робіт та виконання РГР.
Студентам, які мають Rсем менше 30 балів, протягом останнього тижня семестру надається можливість підвищити Rсем та отримати допуск до семестрового екзамену.
Рейтингові оцінки з дисципліни для виставлення їх до екзаменаційної відомості та залікової книжки трансформуються до таблиці відповідності рейтингових балів оцінкам за університетською шкалою:
| Кількість балів | Оцінка |
|---|---|
| 100-95 | Відмінно |
| 94-85 | Дуже добре |
| 84-75 | Добре |
| 74-65 | Задовільно |
| 64-60 | Достатньо |
| Менше 60 | Незадовільно |
| Не виконані умови допуску | Не допущено |
Дистанційний курс навчальної дисципліни - https://do.ipo.kpi.ua/course/view.php?id=3270
Приблизна тематика РГР
Проведення семінарів та лабораторних робіт спрямовано на засвоєння лекційного матеріалу шляхом дослідження експериментальних характеристик реальних вузлів НВЧ пристроїв: хвилеводно-планарних фільтрів, фазових маніпуляторів на p-i-n діодах, гібридно-інтегральних транзисторних підсилювачів, а також застосування викладених методик розрахунку пристроїв та систем на їх основі.
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №1 - Дослідження характеристик гібридно-інтегральних смугових фільтрів міліметрового діапазону довжин хвиль.
Обладнання: стандартний панорамний вимірювач КСХ і ослаблення (2 блоки: генераторний Р2-66 та індикаторний Я2Р-67), спеціально розроблені і виготовлені в НВЧ лабораторії каф. РТС зразки хвилеводно-планарних смугових фільтрів з різними параметрами АЧХ.
1 стенд, 4 робочих місця.
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №2 - Дослідження ГІС транзисторних підсилювачів міліметрового діапазону. Вимірювання лінійних характеристик.
Обладнання: стандартний панорамний вимірювач КСХ і ослаблення (2 блоки: генераторний Р2-66 та індикаторний Я2Р-67), поляризаційний атенюатор ПА-35, спеціально розроблений і виготовлений в НВЧ лабораторії каф. РТС зразок транзисторного підсилювача на МСЛ з трансформаторами узгодження для включення в хвилеводний тракт 18-25 ГГц, блок живлення.
1 стенд, 4 робочих місця.
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №3 - Дослідження ГІС p
діодного фазового 0-π маніпулятора.
Обладнання: стандартний панорамний вимірювач КСХ і ослаблення (2 блоки: генераторний Р2-66 та індикаторний Я2Р-67), вимірювальна лінія РІ-30, осцилограф, спеціально розроблений і виготовлений в НВЧ лабораторії каф. РТС зразок фазового 0-π маніпулятора, блок перемикача фази.
1 стенд, 4 робочих місця.
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №4 - Вимірювання коефіцієнта шуму ГІС транзисторного малошумного підсилювача і тангенціальної чутливості приймального пристрою з ним на вході
Обладнання: стандартний генератор коливань гетеродина (частота 18-22 ГГц), стандартний генератор сигналу (частота 18-22 ГГц), ножовий і поляризаційний атенюатори, осцилограф, мілівольтметр, спеціально розроблені в НВЧ лабораторії каф. РТС змішувач приймача, підсилювач проміжної частоти зі смуговим фільтром і детектором.
1 стенд, 4 робочих місця.
Робочу програму навчальної дисципліни (силабус):
Складено
Омеляненко М. Ю.; Турєєва О. В.;
Ухвалено кафедрою РТС (протокол № 06/25 від 26.06.2025 )
Погоджено методичною комісією факультету/ННІ (протокол № 06-2025 від 26.06.2025 )